中微公司成立于2004年，主营业务为开发大型真空微观器件工艺设备，主要产品包括刻蚀设备和MOCVD。公司CCP刻蚀设备已批量应用于国内外一线客户从65nm到5nm集成电路制造产线、64层及128层3DNAND产线，并已取得5nm及以下逻辑电路产线的重复订单；ICP刻蚀设备逐步成熟，已成功进入海内外十余家客户的晶圆产线。公司MOCVD设备持续在行业领先客户生产线上大规模投入量产，保持在行业内的领先地位。
据国盛证券研报分析，我们有望看到公司按技术路径推出下一代用于更先进制程关键步骤的ICP及CCP刻蚀设备，刻蚀设备产品线不断完善，盈利水平及核心竞争力进一步提升。
一、刻蚀+MOCVD龙头，技术驱动对标前沿科技
国内领先、世界排名前列的半导体高端设备制造商。公司自成立以来主要从事半导体设备的研发、生产和销售。公司以中国为基地，为全世界提供高端半导体微观加工设备。主营业务为开发大型真空微观器件工艺设备，主要产品是刻蚀设备和MOCVD。刻蚀机用于半导体制程，客户涵盖台积电、中芯国际、海力士、华力微、联华电子、长江存储等；MOCVD用于LED外延片制程，客户涵盖三安光电、华灿光电、乾照光电等。
公司的刻蚀设备产品具有行业竞争优势，正逐步打破国际垄断。公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到5nm等先进的芯片产线上；公司已开发出小于5nm刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司正开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5nm以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。
研发力度行业领先，专利收获颇丰。2020年，公司研发投入为6.4亿，同比上涨50.69%，主要用于研究开发新的工艺，包括存储器刻蚀的CCP和ICP刻蚀设备、Mini-LED大规模生产的高输出量MOCVD设备、Micro-LED应用的新型MOCVD设备等。研发投入占营业收入比例为28.14%，高于行业水平。从研发成果来看，公司具有深厚的技术研发基础，拥有多项自主知识产权和核心技术，到2020年底，公司新增专利80个，累计1096个。截至2021年4月，公司研发人员数量达到345人，占员工总数的38.55%。公司及子公司已申请1,814项专利，已获授权且在保护期内的专利共1,070项（中国境内568项、境外502项）并且绝大多数专利在产品上得到应用。
产业积累深厚，客户覆盖国内外一线企业。2019年5月，中微公司在全球晶圆制造设备供应商中排名第三，在十大芯片制造设备专业型供应商和专用芯片制造设备供应商中均位列第二。公司的高端半导体设备技术水平处于世界前列，客户已经延伸至世界范围，在公司的前五大客户中覆盖了国内外一线企业。并且随着公司收入规模增大，主要客户集中度逐年降低，2016年、2017年和2018年，公司前五名客户销售占比分别为85.74%、74.52%和60.55%。多年来，公司产品技术及销售服务竞争优势不断累积，同海内外客户的业务合作关系不断深化，客户服务和产品解决方案专业化不断提升，产品已进入包括台积电、中芯国际、华虹集团、长江存储、采钰科技、海力士、联华电子、华邦电子、格罗方德、博世、意法半导体、三安光电、江西兆驰、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等国内外知名半导体制造企业。
二、受益LED新应用，MOCVD需求回暖
MiniLED等新应用市场爆发，MOCVD需求回暖。2020年受终端芯片价格下降及产能释放等影响，2020年LED设备市场呈下滑趋势。当前以MiniLED背光及直显、消毒及植物照明为代表的LED新兴市场需求放量背景下，MOCVD设备需求有望回暖。
2021年6月，中微公司推出专为高性能MiniLED量产设计的PrismoUniMax™MOCVD设备，助力LED芯片制造商提高产能，降低生产成本。该设备在帮助LED芯片制造商提高产能的同时能够有效地降低生产成本。
2020年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子总产值超过100亿元，同比增长69.5%。其中SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%，相较前几年，中下游的增长速度加快。预计到2023年SiC、GaN电力电子器件的市场规模将超过150亿元。
中微定增募投布局宽禁带功率器件外延生长设备。公司定增拟不超过100亿元，其中总投资37.56亿元用于中微临港总部和研发中心项目，搭建从产品技术研发、样品制造与模拟测试到大规模工业投产的全周期研发平台。临港总部和研发中心项目部分资金用于于公司新产品的研发项，主要研发产品包括7类，其中一种就是用于宽禁带功率器件（SiC）外延生产的量产型CVD设备，项目将由在化合物半导体外延工艺研发领域超过25年的主管人员牵头，目前处于研究阶段，预计将持续至2025年底。
三、定增加码研发投入，内生外延推进平台化建设
公司拟定增不超过100亿元，用于中微产业化基地建设项目、中微临港总部和研发中心项目和科技储备资金。
中微产业化基地建设项目主要用于扩充公司现有设备产能，与主流半导体设备厂商合作，开发新产品线。公司计划在上海临港新片区及南昌市高新区新建生产基地，总规划建筑面积18万平米，临港产业化基地主要承担公司现有产品升级、新产品开发生产及扩充长。南昌产业化基地约14万平米，主要承担比较成熟的产品的规模量产及部分产品研发升级。
中微临港总部和研发中心项目将在上海临港新片区建立中微临港总部和研发中心，搭建从产品技术研发、样品制造与模拟测试到规模量产的全周期研发平台。12个项目已于2021年6月20日集中开工。新产品研发不仅包括等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备，还包括前瞻性技术研究、集成电路生产设备及零部件国产化、泛半导体设备产品的研发及产业化等。
总投资30.8亿元的科技储备资金将用于满足公司与合作伙伴在新产品的协作开发项目、对外投资并购项目等需求。其中新产品协作开发拟投资15.8亿元，用于包括红黄光MOCVD设备、大面积平板显示设备和集成电路设备、PECVD等化学薄膜设备以及集成电路光学检测设备的合作研发。对外投资并购项目拟投资不超过15亿元进行产业投资、并购，向上下游配套设备纵向延伸，在公司刻蚀和薄膜关键技术基础上横向扩展。通过外部协作及投资并购，公司借助外部优势资源，快速切入相关领域，抓住机遇，打造平台化设备公司。（国盛证券）
总结：未来随着MiniLED、消毒及植物照明为代表的LED新兴市场需求放量，并且公司还将继续拓展功率器件等领域用CVD设备，MOCVD系列产品需求有望回升。
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来源公众号：贝壳投研