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继石墨烯后,中科院再传好消息,“中国芯”到底能不能绕开光刻机

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疯狂的菠萝 2021-06-23 18:22

在去年石墨烯创新成果大会上,中科院公开展示了自研的8英寸石墨烯晶圆,引发了海外媒体、科学家们的围观和感叹,据知情人透露,这项8英寸晶圆通过了权威机构的检测认证,不管是尺寸或者是性能,都处全球顶尖水平。援引外媒的报道:中国在碳基领域至少已领先世界五年。

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作为碳基芯片的基础原材料,石墨烯的作用不言而喻,全球各地对该领域的投入都非常大,因为在传统硅基芯片来到3nm工艺之时,已逼近物理极限,而碳基芯片此时则被寄予厚望,是或将成为引领下一个芯片时代的主流产品。

更重要的是,碳基芯片从材料到制造都不同于硅基芯片,未来产线上所用到的半导体设备也不尽相同,由于石墨烯材料拥有优良的电学、热学和光学特性,因此,具体的生产或将能绕开高端EUV光刻设备。

在老美以半导体芯片技术打压国产高科技企业的关键时刻,石墨烯、碳基芯片的出现,无疑让“中国芯”多了一个破冰的方向。

而近日,中科院再次传来好消息,郭光灿院士带领的中国科技大学科研团队,成功了完成了量子干涉实验,极大的推动了国产光量子芯片的研究和发展。

量子干涉是全球量子领域的技术壁垒,是光量子芯片由实验室走向商用应用的转折点,就像此前中科院的8英寸石墨烯晶圆一样,连美国也未曾突破,但是中国科学家却再一次做到了!

光量子芯片被称为半导体材料的终极形态,相比碳基芯片,是属于更高维度的产品,在传输效率、功耗和安全性各方面,都是顶级的存在,十三五规划之中,量子技术是未来科技发展的重点方向。

此次量子干涉实验成果,或将成为高端光量子芯片由理论走向实际应用的转折点,而且光量子芯片的制造也无需传统硅基芯片的那套设备,如碳基芯片一样,是“中国芯”的另一个重要方向。

随着碳基芯片和光量子芯片的提出与不断的研发,那么“中国芯”能不能绕开被称为国产化路上最大“拦路虎”的EUV光刻机呢?

答案或许是不能。尽管客观来看,新型芯片大可以摆脱老一套制造设备,然而,技术的迭代都是相互关联的,不存在所谓的维度跳级,就像6G要以5G为基础、5G要以4G为基础是一样的。

更何况,目前的芯片困境亟需解决,如果舍本逐末只顾新型芯片的研发,那么当下的发展该怎么办?

尽管EUV的研发很难,ASML也曾泼来冷水,表示即便给我们图纸我们也造不出来,就连吴汉明院士也表态称:EUV光刻机的精密零件高达十万个,产业链上的全球供应商超过5千家,我们凭一己之力来完成是不现实的。

但是,我们依然要持乐观态度,毕竟再尖端的设备也是人造的,而非神造的。既然海外能做到,那么我们就一定可以,而且要做得更好,毕竟我们拥有全球最大的半导体消费市场,这是我们实现突破的关键因素。

清华大学的EUV光源,上海微电子的国产28nm光刻机,都是国内在光刻领域努力的成果,这足以证明我们完全有能力突破这项核心制造技术设备的垄断。正如林毅夫教授所说:突破EUV垄断,我们只需三五年的时间就够了。

对此,你们怎么看?

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