所谓第三代半导体，就是以GaN和SiC为核心材料，替代传统Si材料，同时以新原理、新材料、新结构、新工艺为特征的全新半导体产业链。
芯研所消息，第三代半导体作为国产半导体实现“超英赶美”、确立领先地位的新蓝海，它的发展与建设格外重要。位于北京的第三代半导体材料及应用联合创新基地建设项目，已于近日完成竣工验收。
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据了解，该创新基地将围绕光电子、电力电子、微波射频三大应用领域，建设第三代半导体工艺、封装测试、可靠性检测和科技服务4大基础平台。
在硅材料制程无限趋于极限的当下，在摩尔定律每18个月晶体管数量翻一倍逐渐失效的当下。采用可替代硅的新材料来研发芯片，或许能更好的解决当下半导体发展困局。
而第三代半导体材料及应用联合创新基地建设项目的落成，便为下一步建设第三代半导体工艺线，实现国产核心芯片的产业化打下了坚实基础！
（作者：陈浩 责编：Martin）