集合了数学、光学、高分子物理和化学、精密仪器、软件等领域顶尖技术产物，这就是光刻机。虽然光刻机所需要的技术和工艺极端复杂，但是光刻机的工作原理并不复杂，其实就是用紫外线光在晶圆上雕刻，让芯片上的电路雕刻为需要的图案。但是，现阶段最先进的EUV光刻机可以做到7nm的精度，相当于头发丝的万分之一。没有光刻工艺，芯片制造就无从谈起。
为了达到这样的精度，在雕刻过程中晶圆需要快速移动，每次移动10厘米，误差却要控制在纳米级别。这个误差级别我们打个比方，相当于一个人头上顶着一碗水以极快的速度从法国冲刺到德国，不仅水一滴都不能洒出来，路途中脚步还要踩在预定的脚印上。那么制造光刻机有多难呢？目前全世界制造光刻机的最顶尖的公司是荷兰ASML公司，而ASML光刻机采用了多个国家的顶尖技术与硬件支持、多家世界科技公司巨头合力研发，内部零件数量高达10万个（一辆汽车的零件仅有5000余个零件），整台机器重量高达180吨。可以这么说，光刻机是融合了人类几乎所有顶尖理工技术的结晶和代表。
我国早在60年代就曾自主探索了光刻机领域，且当时我国的光刻机制造技术在当时世界中就处于世界先进地位。当时世界光刻机巨头ASML还未诞生，而同样具有光刻机制造能力的日本尼康、佳能与60年代末才进入光刻机领域。1962年我国第一代硅平面晶体管问世，1965年我国第一块集成电路问世，显示出我国于60年代中期即拥有了利用光刻技术制造集成电路的技术，1980年清华大学第四代分步式投影光刻机研制成功，光刻精度达到3微米，我国光刻机领域接近世界主流水平。
可惜，尽管当年我国单项技术并没有落后于世界太多，但是迫于没有完整产业链，之后光刻机的攻关一直没有太大进展。2002年，上海微电子成立。到今天，上海微电子的光刻机代表了我国光刻机的最高水平，制程工艺为90nm。有消息称，上微今年即将交付28nm工艺的国产沉浸式光刻机，预计2030年即可实现EUV光刻机的真正国产化。
近年来，我国虽然在科研上取得了多项重大进步，但是在芯片的研发和制造领域还需要更大的突破。特别是在疫情后，全球新一轮的“芯片荒”造成了产业链对于芯片供不应求的问题，我国想要推动独立自主芯片研发的进展，光刻机的制造生产就显得极为重要。相信我国作为世界工业门类最为齐全的国家，假以时日，一定可以研制出国产的成熟光刻机。
（文/在锐思）