自从全球缺芯加剧后，半导体行业可以说是风云再起。
例如，台积电直接宣布投资1000亿美元应对芯片危机，并将2021年的资本支出提高；三星也改口，将在非储存芯片领域内的投资从1016亿美元提升到1514亿美元。
不仅如此，英特尔也一改往常，宣布投资200亿美元建厂，正式进入晶圆代工领域。
更让外界没有想到的是，IBM在日前正式对外发布了全球首个2nm芯片制造技术。
据悉，目前能够量产的最先芯片是5nm制程，3nm制程的芯片，有望在年底试产，2022年量产。
可以说，IBM发布了全球首个2nm芯片制造技术，尽管还没有进行量产，但在芯片制造技术方面已经走到世界前列，毕竟台积电也仅仅在2nm芯片取得了重大进展。
1nm，台积电官宣两个消息
目前，台积电的芯片制造技术全球领先，最先量产7nm、5nm制程的芯片，良品率还高。在3nm制程芯片上，台积电也有望率先量产。
另外，2nm芯片制造技术虽然被IBM全球首发，但IBM自身并不参与制造芯片，而台积电也已经在2nm芯片取得重大进展，将采用GAA工艺，有望在2024年量产。
但没有想到的是，就在近日，台积电官宣两个消息，一个消息还与1nm芯片有关。
第一个消息，芯片制造技术已经全球领先的台积电，其正式宣布加入美国半导体联盟，该联盟是高通、英特尔以及ASML等64家企业组成的。
根据台积电等方面发布的消息可知，其加入该联盟，是为了向美国索要500亿美元的补贴，但在外界看来，台积电这次是选择站队。
更何况，台积电已经开始在美国投资建厂，原本计划投资120亿美元，但可能将投资扩大到390亿美元，建设6座5nm芯片工厂，占台积电5nm芯片产能的一半。
第二个消息，台积电在1nm芯片方面取得重大进展。
都知道，芯片制造工艺提升越来越难，成本也越来越来高，于是，摩尔定律正在失效的说法越来越多。
但就在近日，台积电联合台大、斯坦福大学正式宣布在1nm芯片方面取得重大进展，并表示，摩尔定律在3nm、2nm以及1nm等芯片方面仍有效。
因为台积电等发现了一种新材料，而这种新材料就是半金属铋，将其作为电极，能够大幅度降低电阻并提高电流，并且，能够实现接近量子极限的能效。
据悉，是美国斯坦福大学先发现将二维材料上搭配半金属铋的电极，就能大幅降低电阻并提高传输电流。
随后台积电将“铋沉积制程”进行优化，而台大则通过氦离子束微影系统”将元件通道成功缩小至纳米尺寸，所以才有了上述成果。
另外，根据台积电方面的消息，运用这种材料后，不仅能够研发生产制造1nm芯片，还能够将芯片缩小至1nm以下。
华为任正非果然是深谋远虑
据悉，台积电等不能自由出货后，华为在芯片方面就受到了影响，由于缺芯，华为消费者硬件业务下滑，华为也开始向软件方面转型。
从台积电官宣的这两个消息就能够看出，华为任正非果然是深谋远虑。
一方面是因为任正非已经看透了局势，让华为提前做出了转型，尽可能地降低对美系技术的依赖。
另外一方面是因为任正非对美系技术企业不抱希望，而是自身要在芯片等方面突破重围。
例如，华为早就宣布全面进入半导体芯片领域，还要在新材料和终端制造方面突破技术瓶颈。
如今，台积电加入所谓美国半导体联盟，这意味着台积电站队了，而台积电在又通过新材料，能够可以将芯片带到1nm之下。
这意味，任正非做出了对美不抱希望和在新材料方面实现突破的做法是正确的，所以才说华为任正非果然是深谋远虑。
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