今天，IBM造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片的消息，在半导体圈和IT圈都已经刷屏了。毕竟，根据IBM所公开的信息，该2nm芯片的晶体管密度(MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管)为333.33，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要更高。
无数的媒体和专业人士都在惊叹IBM在推进半导体制程方面所取得的突破性成就。
不过也有吃瓜群众表示不理解，为什么不是台积电，也不是三星，这些已经掌握了5纳米技术的芯片制造大厂首次将芯片制程推进到2纳米？
甚至有人用嘲笑的语气表示，IBM这是放了颗卫星吧？连自己的芯片工厂都卖给格罗方德（Global Foundry）的公司，还能在半导体制造领域有这么大的创新能力？
那这些网友可能就对IBM在半导体领域的成就和创新突破不了解了吧？事实上，正如很多专业人士所了解的，在全球半导体工业发展的历程中，IBM也无愧于蓝色巨人的角色，它曾经推出多项突破性的半导体技术，对于半导体产业的发展作出了巨大贡献：
下面，就让我们简单回顾一下IBM在半导体领域所取得的开创性的创新吧。
1966年：发明单晶体管DRAM
我们熟悉的DRAM内存芯片就有着IBM的巨大贡献。在1966年，IBM的科学家RobertDennard灵感咋现，发明了单晶体管DRAM，随后的1970年，英特尔公司采用三晶体管单元设计方法推出了容量为1KB的DRAM芯片，并获得了巨大的商业成功，随后美国日本等多家芯片制造商使用IBM科学家的单晶体管构想制造出了4KB以及以上的DRAM芯片，一直到现在数Gb容量的DRAM芯片，一直伴随着我们在信息世界的应用。
1982年：准分子激光光刻
在1982年，IBM的科学家Kanti Jain提出了“excimer laser lithography（准分子激光光刻）”技术，这是一项开创性的构想。，直到现在，准分子激光光刻机器（步进和扫描仪）被不断更新换代，依然在全球集成电路制造中得到广泛使用。在过去的将近40年中，准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素，也成就了ASML这样的光刻机巨头。
1994年：硅锗芯片制造技术
在1994年，屡有创新的IBM研究院获得了硅锗半导体芯片制作专利。经过IBM专家的实验，硅锗半导体更容易获得，也能够提升当时集成电路的速度和通用性。通过硅锗材料制成的芯片能够更好地提升频率，提升性能，从而让芯片制造商制造出更为低价、体积更小、能效更高的芯片，让芯片在无线行业的应用获得了可能，直到现在，硅锗材料的芯片依然是主流。
1997年：铜互联技术
在1997年，IBM的研究院又立功了。这次是宣布研发成功铜互连技术来制造芯片，这能够比使用铝互联技术让芯片获得更为优异的性能，能够让芯片更快、更小、更廉价。与铝互联技术相比，铜线导电电阻低大约40%，这就使得微处理器的速度能再提高15%。
在IBM宣布铜互连技术取得成功之后，各个厂商不断跟进，更小、更高效的芯片技术得以不断被开发，其中重要的原因就是铜互连技术的成功研发，一直到目前为止，铜互连技术依然是芯片制造中应用最为广泛的技术，铜也继续是芯片设计与制造的最根本材料。
2004年：浸没式光刻技术
在2004年的12月，IBM宣布在全球首次采用浸没式光刻（Immersion Lithography）这项新的制造技术，这是一项可以使芯片尺寸做得更小的技术，从而可以用来生产制程水平更高的芯片。
所谓浸没式光刻技术是区别于传统光刻技术的一项技术。在传统的光刻技术中，其镜头与光刻胶之间的介质是空气，而所谓浸没式技术是将空气介质换成液体。实际上，浸没式技术利用光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨率，其缩短的倍率即为液体介质的折射率。
当然，作为IT产业一直以来的先行者之一，蓝色巨人IBM在半导体领域的创新和突破还有很多，比如说，绝缘硅片技术（Silicon onInsulator technolog）、多核微处理器（multi core microprocessors）、高 k 栅电介质（High-k gate dielectrics）、嵌入式 DRAM（embedded DRAM） 和 3D 芯片堆叠（3D chip stacking）等等，笔者在这里只选取了有代表性的几项技术。
事实上，根据媒体的表述，在此次2纳米制程研发成功之前，IBM也是率先造出7纳米（2015年）和5纳米（2017年）芯片的厂商，只不过现在率先将7纳米和5纳米推向商用的，是三星和台积电，与IBM紧密合作的格罗方德并没有能够跟上脚步。
此次IBM宣布2纳米芯片制造工艺研发成功，格罗方德是否会直接跳过7纳米和5纳米，在2纳米制程工艺领域，与三星、台积电厮杀呢？
也许，这也是一种可能。