全球芯片供应持续紧缺，包括存储芯片在内的资源供不应求，消息称三星正在考虑加紧对DRAM产量的提升。
据韩媒消息称，三星有意扩大DRAM产量，其位于韩国平泽P2工厂第一季度的12英寸晶圆月投片量将从3万片扩大至4万片，年度DRAM投片也将从6万片扩增至7万片，相较于原计划产量进一步提升。
三星平泽工厂，来源：公开信息
另有消息称，因应DRAM价格走扬，三星华城13 DRAM产线，原本计划转换为生产CMOS影像传感器(CIS)，最近传出三星考虑变更该计划。相关人士表示，因应移动设备、服务器等特殊领域DRAM供应不足，三星决定放缓华城13产线的转换生产速度。
近两年，三星不断的扩大投资以及新建工厂，导致2020年全年资本支出大增，总额达38.5兆韩元（约343亿美元），其中半导体支出32.9兆韩元。之前有消息称，三星已经向半导体设备供应商提供了2021年设备采购计划，预估2021年的资本支出仍然将持续维持高档。
三星平泽P2工厂是增产的核心产线，涵盖了先进DRAM、V-NAND、晶圆代工的综合性半导体工厂。三星2020年8月在平泽P2工厂开始导入极紫外（EUV）技术批量生产16Gb LPDDR5，并投资了8兆韩元建设NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产先进的V-NAND芯片，晶圆代工生产设备也将于今年到位。
在DRAM技术上，三星正在加快提升1znm DRAM量产比例，并推动新一代1a-nm DRAM技术的发展，其P2工厂除了批量生产LPDDR5，也订购了相关半导体检测设备，将开始投入生产DDR5芯片，预计今年下半年可望进入量产阶段。
三星认为，2021年第一季度新的5G手机上市，以及向中低端普及，移动市场需求有望持续提升。另一方面，服务器市场经过库存调整后，资本支出将会增加，采购需求将改善，再加上笔记本市场需求仍将强劲，将有助于DRAM业务。
然而，2021年第一季度DRAM原厂供应端资源紧俏，导致下游厂商成本追高，部分内存产品价格也是一路上涨，而且短期资源紧缺的市况仍无缓解迹象。三星提高DRAM产量也是为了因应市场供不应求的市况。