欧洲人曾自负的说道“即便把制造EUV光刻机的图纸交给我们，以我们的技术也无法生产出光刻机”。哈工大成功击碎极紫外光源壁垒，在长春实验室成功搭建出一套完整的光源设备，迅速打脸欧洲人。
在这里穿插一点，上海微电子的28纳米“浸入式光刻机”将在今年正式下线投产。另外，华为、小米、京东方、南大光电、中芯国际、哈工大等90家国产半导体巨头，组成“全国集成电路电子技术委员会”向国外针对我国实施的半导体封锁计划，发起了猛烈的冲击。这一切都在说明，在自主研发半导体核心技术的道路上，我们并不是“纸上谈兵”。
我是柏柏，90后科技爱好者，今天带大家来看哈工大突破的光源技术壁垒，以及我国在自研芯片道路上的曙光。
在进入正题之前，让我们先简单了解一下什么是EUV光源。目前最先进的光刻机是荷兰阿斯麦的EUV光刻机。与20世纪的干刻式、浸入式光刻机不同，阿斯麦的EUV光刻机采用的是目前最先进的极紫外光束技术。只要是光，就一定会有光源，哈工大突破的光源壁垒就是阿斯麦如今使用的DPP - EUV光源。
EUV光源分为两种，通过紫外线产生方式的不同，分为DPP - EUV光源与LPP - EUV光源。DPP是通过电压中电离子产出的紫外线，进行光源生产。LPP则是通过热传导、激光加热等热力物理学产出紫外线，进行光源生产。通俗来说，DPP靠发电、LPP靠发热。台积电的高耗电问题，就是因为阿斯麦的EUV光刻机所采用的光源是DPP - EUV的原因。
进入正题，科学领域没有投机取巧，所有的成功都是建立在努力的基础上。哈工大突破EUV光源，并不是巧合。哈工大在光刻机领域，尤其是光源领域已经研究了15年。此次哈工大突破DPP - EUV光源对我国半导体发展的意义巨大。
光刻机的核心，EUV光源技术掌握了，我们距离EUV光刻机又近了一步。需要注意的是，目前我们要想实现EUV光刻机的自主生产，还需要走很长的路，短时间内想要实现完全自主化生产，更是不可能的。不要误读，或者错读。可能大伙要说了，你不是说EUV光源是核心部件吗？核心部件突破了，光刻机生产不出来吗？
不同于传统的生产设备，光刻机的制程十分繁琐，由大到小囊括10万多个零件。拿阿斯麦来说，尽管阿斯麦可以生产EUV光刻机，但其90%的零件都是来自其它国家。哈工大虽说突破了EUV光源壁垒，但还有很多核心部件没有被突破。毕竟我们在光刻机领域，与国外相差了几十年。
随着近些年来，我国科学技术的进步，我们在半导体领域中的技术日渐成熟，虽说比起国外仍然有很大的差距。但在自研芯片的道路上我们成就颇丰，如中科院的石墨烯碳基芯片、南大光电的光刻胶、黄河水电的电子级多晶硅量产、洛单集团的单晶硅硅棒等。
另外，在光刻机领域，上海微电子的“浸入式”光刻机、中科院的5纳米掩膜版、紫外线超分辨率解释器以及清华团队突破的双工件台技术。这些都在表明，我们在自主研发半导体的道路上越走越远。
我们还需要多长时间才能够生产出7纳米以下的光刻机呢？对于国产芯片，大家还有什么想表达的呢？欢迎大家在下方留言评论。我是柏柏，90后科技爱好者，关注我，带你了解更多资讯，学习更多知识。