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12月1日，据日媒报道，比利时半导体研究机构 IMEC的CEO兼总裁Luc Van den hove在日本东京ITF论坛上透露，通过与 ASML的紧密合作将下一代高分辨率EUV技术进行了商业化。
Luc Van den hove并公布了3nm及以下制程的微缩层面技术细节。截至目前，ASML 已经布局了 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未来发展路线规划。
根据先前晶圆大工大厂台积电和三星电子介绍，从 7nm制程技术开始，部分制程技术已经推出了 NA=0.33 的 EUV 曝光设备，5nm制程技术也达成了频率的提升，但对于2nm以下的超精细制程技术，则还是需要能够达成更高的分辨率和更高 NA （NA=0.55） 的曝光设备。
对此，目前 ASML 也已经完成了做为 NXE:5000 系列的高 NA EUV 曝光设备的基本设计，但商业化的时间则是预计最快在 2022 年左右。
该报道指出，包括日本在内的许多半导体公司已经退出了微缩化工艺，声称摩尔定律已经走到了尽头，或者称它成本过高且无利可图。
但ASML过去一直与IMEC密切合作开发光刻技术，但为了开发使用高 NA EUV 曝光设备，ASML在IMEC的园区内成立了新的“IMEC-ASML 高 NA EUV 实验室”，以共同开发和使用高 NA EUV 曝光设备的相关技术。
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