9月22日晚间,上交所受理东芯半导体股份有限公司(简称“东芯半导体”)科创板上市申请,公司拟募资7.5亿元,海通证券为公司保荐机构。

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募集资金强化主营业务

招股说明书显示,东芯半导体本次拟募资7.5亿元,围绕主营业务进行。正如此前报道,本次投资项目主要包括1xnm闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目等。

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Source:东芯半导体招股书截图

其中,1xnm闪存产品研发及产业化项目计划投入资金2.31亿元,是在公司现有的存储芯片设计业务能力的基础上,开发生产1xnm NAND Flash芯片。

而车规级闪存产品研发及产业化项目拟投资1.66亿元,将凭借东芯半导体多年在存储芯片设计领域丰富的经验积累,在对产品稳定性和可靠性进行深度研究的基础上,拟进一步布局汽车电子领域。

据悉,上述两大项目将分别采用Fabless经营和生产模式,产品生产环节委托晶圆代工厂和封测厂进行加工。东芯半导体表示,公司与国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂建立稳定可靠的合作关系,良好的产业链协同为本次募投项目产业化提供了稳定保证。

例如,东芯半导体与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上展开连续多年的深度技术合作;与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立了多年的紧密合作,已经在力积电工艺产线实现领先制程的主流存储产品流片及稳定量产。在封装测试方面,公司已经与紫光宏茂、南茂科技、AT Semicon等知名封测厂建立稳定的合作关系。

而研发中心建设项目主要建设内容包括研发中心的基建投资、先进研发和实验设备的购置、专业技术人才的培养等。研发方向主要包括存算一体化芯片、LPDDR4x、DTR NAND Flash,研发产品类型分别为功能性存储芯片、易失性存储芯片、以及非易失性存储芯片。

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预计市值不低于30亿元

据招股书申报稿显示,东芯半导体是中国大陆领先的存储芯片设计公司,聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司,并能为优质客户提供芯片定制开发服务。

凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现,公司产品不仅在高通、博通、联发科、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技、紫光展锐等多家知名平台厂商获得认证。

此外,东芯半导体已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。

报告期内,公司各年营业收入实现持续增长,2017年至2019年度,东芯半导体分别实现营收3.58亿元、5.1亿元、5.14亿元,年复合增长率达到19.77%。

不过由于公司尚未盈利,故东芯半导体选择第四套上市标准,即“预计市值不低于人民币30亿元,且最近一年营业收入不低于人民币3亿元。”

对于未来发展战略,东芯半导体表示,未来三年的发展目标是通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代,保持公司现有产品的性能领先和竞争优势;加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓;同时持续开拓国内优质客户,并开始有计划、有步骤地拓展海外市场。

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