作为一直走在半导体行业前沿的大厂，台积电在技术上的探索速度果然是惊人的。
据台湾经济日报报道，台积电已经在2nm工艺取得重大突破，业界人士预计，台积电2nm将在2023下半年推出，有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单，狠甩三星。
全球第一家2nm工艺，研发进度超前
根据报道，台积电的2nm工艺，区别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电2nm改采用全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，此种架构能解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，研发进度超前，这也是全球第一家具备2nm工艺的半导体企业。
台积电的2nm工艺对于全球半导体行业来说，都是一个巨大的冲击。毕竟直到现在，还有很多代工厂在为量产7nm芯片奋斗，而它已经攻克了2nm的相关技术，其中的差距不言而喻！
要知道，在如今的芯片市场中，台积电的5nm占据着绝对领先的地位，很多客户都向它提交了订单。仅靠着5nm芯片，台积电的地位就无可撼动，现在2nm芯片又被攻克了，果然大厂就是大厂啊！
其实，台积电去年就成立了2nm专案研发团队，寻找可行路径进行开发，并在此期间解决了制程微缩所产生的电流控制漏电等物理极限问题，台积电的纳米片堆叠技术也取得了不小的进步。
目前，台积电已经获得了建设2nm生产线的土地，将生产线建立在新竹科学园区。
三星赶超无望
有人欢喜就有人忧。在台积电攻克2nm工艺受瞩目的时候，最受伤的莫过于竞争对手三星。
毕竟它早在2年前其揭露3nm技术工艺时，就宣布从FinFET转向GAA，并大放厥词：2030年要超过台积电，取得全球芯片代工龙头地位。
为了抢在台积电之前完成3nm的研发，三星的芯片制造工艺由5nm直接上升到3nm，4nm则直接跳过。
但结果却是台积电率先在2nm工艺取得重大突破，三星恐怕要失望了。三星3nm的制程节就采用GAA的技术，意图在此技术上弯道超车台积电，但台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术，及EUV 运用经验，将能使良率提升更顺利。
所以不少业内人士预期，若台积电2nm在2023年即能投产，三星就算在弯道恐怕也超不了车。不过，三星肯定会不甘心奋起直追的，只是进度肯定没有台积电的快，现在的芯片制程和代工，台积电绝对的是全球第一。
不过，台积电也不能掉以轻心，毕竟它的对手不止三星，还有英特尔。英特尔的SuperFin 技术也不可小觑，虽然纳米节点时程落后，但实际性能并不真的多差。因此，对于台积电来说，在2nm还没有投产之时，要做的就是加紧研发速度。