说到三星D-DIE颗粒很多懂颗粒的可能都会说：三星的早期DDR4颗粒，容量4Gb，20NM级别工艺。确实没错这些信息在中关村在线的一篇文章也可以找到
不过我在闲鱼上也偶然发现了8Gb容量的三星D-DIE，微星官网的内存支持列表里面也发现了这个颗粒编号“K4A8G085WD”
那么这新版的D-DIE颗粒性能到底如何呢?
我到手的是三星原厂内存、A2 PCB设计
颗粒特写：
颗粒编号：K4A8G085WD-BCTD，可以知道是8Gb容量的三星T-DIE颗粒，频率2666
超频测试前先打开台风软件：
台风识别出是8Gb的 D-DIE颗粒识别是17nm工艺制成（实际上应该是错误的，后面详细说）
超频测试：
超频平台1:CPU:锐龙R51600(8核版) 主板：华硕ROG B450 I BIOS版本：1201
设置内存电压1.35V时序16-18-18-38，频率最高达到了3333
设置电压1.4V时序18-19-19-39频率最高达到了3400
再往上就不行了，在AMD平台新D-DIE颗粒表示不太好，不清楚是不是优化问题导致的。
测试平台2：CPU:I5 9400F（U0硅脂版） 主板：微星MPG Z390 I BIOS版本：1.50
设置内存电压1.4V 时序18-22-22-42反复尝试下频率达到3866过测试（PS:IO SA电压也提高了）
不过这个电压和时序4133就不行报错了
实际后面个人也跑了长时间的mt，这个频率可以mt过千无报错
不过个人测试内存电压稍微降低些都会报错，如果要日常使用可能内存电压要加些，另外维持19-26-26-46这个时序内存电压1.5V 4666也无法开启。
总结：
能4000+的颗粒又喜加一。三星的新D-DIE颗粒超频能力还是很不错的，能达到4533确实比较惊讶，毕竟这就一个2666 C19的普条。不过这个颗粒玩低时序是不行的，3600 18-19-19-38都无法过测试，4000 17-22-22-42机都不能开，从这点来看三星新D-DIE颗粒是不如海力士CJR、美光E-DIE的。
这个颗粒的来头我在三星的一篇新闻里面发现了（https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-now-mass-producing-industrys-first-2nd-generation-10-nanometer-class-dram/）
这个文章里面就有8Gb的D-DIE颗粒的图，不过是ES颗粒
这篇文章也说了是第二代10nm级颗粒（1y-nm），但是1y-nm是14-16nm，那么这台风软件的识别的17nm极有可能是错误的。不过具体是啥只有三星知道了。不过台风的识别确实是会有错误的。