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芯片的制造有三大核心环节：薄膜沉积、光刻、刻蚀。
对应三大设备：MOCVD、光刻机、刻蚀机，这三大设备占芯片制造成本的70%以上。
其中，刻蚀是晶圆制造中至关重要的一步，其技术的高低直接决定了芯片制程的大小，并且在成本上仅次于光刻。
刻蚀技术，指的是在光刻工序后，利用化学及物理方法对晶圆表面进行选择性腐蚀或剥离，进而形成电路图形。简单讲，光刻机的作用相当于描摹，刻蚀相当于临摹雕刻。
上世纪60年代，刻蚀以“湿法工艺”为主，将硅片浸泡在可以与被刻蚀膜层反应的化学液体中，除去不需要的部分。
但是，液体有一个特点就是“各向同性”（isotropic etching），即化学制剂所接触到的表面所有方向以同样的速度刻蚀，导致刻蚀速度不可控，
从而造成偏差。
80年代，美国最大的半导体设备公司——应用材料，Applied Marerials（美股代码AMAT），终于研发出新技术“干刻法工艺”，该方法，具有较强的“各向异性”（anisotropic etching），能对晶圆进行微细的雕刻。
早期的干刻刻蚀，是利用电极板产生等离子对晶圆表面刻蚀，这种方法被称为电容性等离子刻蚀（CCP）。
1990年，历史上第一台基于ICP（等离子）刻蚀机由Lam Research（拉姆研究）提出，ICP由于能在低压下产生较高浓度的等离子体，成为新一代刻蚀机的发展方向。
90年代初期，半导体产业开始从日美向韩国和中国台湾转移，全球半导体设备供应龙头AMAT、拉姆（Lam Research）开始进入中国。
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但是，中国的芯片产业，才刚刚萌芽，国产芯片制造工艺整整落后巨头三代。
而此时，中微半导体创始人，尹志尧刚从拉姆研究（LAM）跳槽到美国应用材料（AMAT）担任总经理，负责同一领域的研究开发工作，曾被誉为“硅谷最有成就的华人之一”。
2004年，60岁的尹志尧看到了国内半导体的商机，随着芯片制造大规模向亚洲转移，上游半导体设备工业却仍留在美国。
于是，尹志尧决定回国创业，带领着三十多人的团队，冲破美
国政府的层层审查，所有的工艺配方、设计图纸都被美国没收，一切从零开始，创办中微半导体。
预知后续，且听下回分解
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