随着高科技时代的发展，半导体行业各个产业链分工也十分明确，上游材料、设备，中游设计、制造，下游封测等环节集结于一体。然而只有三星和英特尔则一枝独秀，将其设计、制造、封测三大环节于一体，从不依赖于别人。这不，最近在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星亮出全球首款采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片，在半导体工艺上有了进一步的技术突破。
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关注过手机圈的小伙伴也应该都知道，高通和三星均在2020年年底推出了旗下最新5nm芯片，虽然说性能表现上都十分的出色，但是在功耗方面却也是呈翻倍状态，因此也令很多的手机厂商和消费者头疼脑热的问题 。而导致这类问题出现的主要原因，还是因为找了三星代工5nm制程工艺，由于技术上的不成熟这才导致了功耗翻车现象。
为什么三星会这么急着推出3nm工艺芯片呢？究其主要原因还是在于芯片巨头台积电，拥有目前最为先进的5nm工艺技术，三星虽然也能打造出5nm工艺芯片，但是在各方面性能表现来说，终究还是有一定的差距。因此，三星也不甘心于此，在半导体研发计划十年之内赶超台积电，成为全球最大的半导体公司。
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根据数据显示，三星此次推出的3nm工艺制造的SRAM存储芯片，其容量可达256Gb，面积仅56平方毫米，在性能表现上相对于5nm来说整体提升了30%，而在功耗方面则有了较大的改善，整体降低了50%。虽然说从数据上看，性能表现还是十分可观，但是有了上代产品功耗翻车的前车之鉴，还是令许多网友表示：靠谱吗？
如果说三星预计在明年正式推出3nm工艺芯片，那么台积电势必也会跟上脚步，而英特尔则依旧停留在7nm，所以在明年的芯片角逐当中也就只有这两家半导体企业能够分出胜负。而作为新秀中芯国际以及台湾的联发科近些年是否能够为我们带来惊喜呢？拭目以待吧！