经常阅读相关信息的网友应该都知道，当前大陆地区企业的芯片加工能力只是14纳米，很多企业甚至还停留在28纳米水平。与之相比，台积电已经熟练掌握了7纳米、5纳米的芯片加工能力。
高通联手台积电，打造4纳米芯片
但现在来看，台积电的技术领先优势还有进一步扩大的可能。据报道，美国高通预计将会携手台积电，在2021年年底或2022年采用4纳米工艺制造新的芯片——骁龙X65，抢占5G市场。
南生注意到，在中低端智能手机市场领域，高通已经多次被联发科击败。为了稳定和加强其市场领先地位，高通在近些年都在积极发展高端芯片，并取得了不少成功。但在通讯基带领域里，苹果抛弃高通，携手台积电打算自研通讯基带芯片，给高通带来较大损失。
现在全力打造采用4纳米技术的“骁龙X65”——最高下载速度可达到10Gbps，运行效率、数据传输速度不亚于当前的PC端设备，即运行速度可与电脑相比。显示了高通在该领域的技术和市场信心。
台积电的3纳米芯片也有望量产
除了和高通计划推出4纳米工艺制造芯片外，台积电的3纳米制程正在依计划推进，甚至比预期还超前了一些——不久前举办的“2021年国际固态电路会议(ISSCC 2021)上”，台积电董事长刘德音指出，在今年下半年3纳米制程预计将开始试产，2020年有望进入量产阶段。
按新的计划，2021年下半年台积电的工作重点就是3纳米芯片的试产，将检验系统集成、精密光学、精密运动等多个领域的技术运行状态。到明年下半年开始量产，预计单月产能5.5万片起，用于生产最新的5G处理器。
与此同时，台积电在2纳米先进制程研发上也取得了重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极（GAA）技术。看样子，台积电一直在追求工艺的发展速度，确保在全球芯片代加工领域的领头羊位置。
但是，韩国三星集团也不甘示弱，将加强在3纳米技术上的追赶力度——已经放弃后续的4纳米工艺，直接从5纳米跳到3纳米，希望拉近与台积电的技术差距且不放过争夺“芯片一哥”的头衔。
最后和大家分享中芯国际的芯片加工能力。目前已经熟练掌握了14纳米芯片的代加工能力，但由于高端光刻机的长期限制，芯片制造技术在7Nm以及更先进领域进展缓慢，导致我国相关手机厂商受制于人。
但近期，也有好消息传来！自主研发的光刻机通过自主研发的n+1技术实现了“准7Nm芯片制造”，未来也有望实现更高的突破。但从最近一年来的发展态势来看，中芯国际芯片代加工能力与台积电的差距扩大了。本文由【南生】整理并撰写，无授权请勿转载、抄袭！