华为手机之所以深受国人喜欢，稳坐国产手机一哥的位置，其中最大的原因就是华为和其他手机厂商不一样，在自主研发方面非常下苦功。但大家一般只知道华为手机里的麒麟处理器是自研，对于其它元器件就不太清楚了。其实华为不仅自研手机SOC处理器
在其它元器件上也一直在下功夫努力自研，比如之前的华为专属的NM存储卡，与传统的Micro SD存储卡相比，其体积减小45%，和Nano SIM卡的规格几乎完全相同。
并且华为NM存储卡的顺序读取速率可达90MB/s，顺序写入速率达70MB/s，但由于其定价高昂性价比太低，加上没有其它厂商支持，所以关注度非常低。而除了华为NM存储卡外，华为还一直秘密自研屏幕驱动芯片，以提高手机屏幕的显示效果和显示流畅度。
而今天华为又一个自研芯片被人扒出，有网友发现，华为Mate40 Pro手机闪存的读写性能可达目前其它主流旗舰手机上搭载的UFS 3.1芯片约两倍的速度，让人感叹华为的神级系统优化。
但小智就在怀疑，同样的硬件规格，不太可能仅凭系统软件优化就能把性能提升如此之多。果不其然，专业机构艾奥科技在拆解华为Mate 40保时捷设计时中发现，其搭载的闪存并非是目前主流的UFS3.1芯片，而是带有海思Logo的神秘闪存芯片，应该又是自研
最终供应链专业人士揭开了秘密，原来华为Mate 40 Pro及其以上的机型采用的是海思自研的SFS 1.0闪存芯片，相比UFS 3.1其随机读写速度几乎翻倍。从数据来看也能印证这一点！
目前主流UFS 3.1旗舰机型的顺序读取速度平均约为1800MB/s左右，顺序写入速度约为700MB/s左右，随机写入约在200-300M/s范围。而华为Mate40 Pro的连续读取约为1966M/s，持续写入是1280M/s，随机读取383M/s，随机写入更是达到了548M/s！