EUV光刻机和DUV光刻机什么区别？中科院立状！中国芯崛起无法阻挡

长期以来，我国在芯片自主研发和生产方面一直未能取得突破性进展，致使我国无法实现芯片制造设备和技术的“本土化”。

华为虽然具备自主研发芯片的能力，但在整个芯片产业链中，还没有抓住下游生产的优势。因此，华为最近失去了芯片生产的源头，芯片相关业务陷入停滞阶段。

然而，随着人们认识水平的提高，人们已经认识到芯片制造的关键环节之一是光刻，它涉及到光刻的关键设备，这可能是大多数人所能理解的。

我们知道，最近，中国科学院正式宣布将进入光刻技术领域，并在世界上占有一席之地。既然设定了这样的目标，那么要开发的光刻机应该是EUV光刻机。

很多人可能不明白，目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。

美国半导体工业协会日前发出警告：到2030年，中国芯片产能将居世界首位，占全球总产能的28%。新航称，10年之内在美国建立和运营先进芯片工厂的成本比中国台湾、韩国或新加坡高30%，比中国大陆高37%至50%。

美国半导体协会代表了美国的利益，所以警告不是要表扬我们，而是要严厉警告特朗普：不能掐死中国，否则10年之后美国会后悔的！

现在这种事又发生了。面对美国对华为等企业的制裁，台积电和ASMC一再声称，中国无法制造高端光刻机和先进芯片技术。然而，当中科院宣布将全院的力量攻克瓶颈技术时，ASMC光刻机立即给出了充分的理由。在中科院宣布将逐一列出清单并成为集中科研任务之后，华为CEO任正非率队参观了中科院和北京大学。他相信，经过未来十年头部技术的集中攻关，我国将建成越来越多的领先科技。