美国近期伙同盟国，在所谓的“自由市场”中，以各式各样理由对华为采取制裁，不遗余力的封杀华为。他们利用中国在芯片研制技术上的暂时落后，为我们设置了技术壁垒，让人十分气愤。
光刻工艺是大规模集成电路制造的关键工艺。它通过曝光的方法将图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上，是现代物理、光学、化学、材料科学 、精密机械、精密控制和工程等诸多现代技术高度集成的产物。
20 多年前，日本生产了世界上第一台NSR1010G型光刻机，取得了大规模集成电路制造技术的重大突破。经过世界各国科学家们的努力，曝光波长不断减小，投影物镜的数值孔径不断增大，光刻机经历了接触式光刻机、接近式光刻机、全硅片扫描投影式光刻机、分步重复投影式光刻机到步进扫描投影式光刻机的发展历程。
近年来，光刻机性能的新技术不断涌现，光刻机作为芯片工业的母机，地位也越来越重要。位于四川成都的中科院光电研究所经过近七年艰苦攻关，让中国有了首台紫外超分辨光刻装备，可以制造出22纳米工艺制程的微电子芯片。
我们应该为这个重大突破而欢欣鼓舞，但这并不意味着中国在光刻机领域超越了美日等强国，因为22纳米在国际上并不是领先水平。因为国外的阿斯麦EUV光刻机最好的指标是7纳米，比我们还领先了一个数量级的距离。
在高端光刻机市场上，荷兰的阿斯麦公司占据了90%的市场份额。阿斯麦也是中国台湾企业台积电的重要股东，而仅仅是台积电，在光刻工艺上也要领先我们。
7纳米光刻机比22纳米领先多少？我们可以分析一下。
相比22纳米光刻机，7纳米光刻机电路更细致，同样面积上可以放置更多的微电子电路，这种差距来自光刻机的光学成像分辨率。
我们知道，光学成像分辨率受到物镜孔径和光源波长的限制，一般来说，可以采取增大物镜孔径和缩短光源的工作波长这两个办法去解决。但是，物镜的孔径不可能无限增加，光源的波长也不可能无穷尽的减小。目前我国制造的光刻机的22纳米波长，已经来到了小于200纳米的深紫外区，再走就是X射线波段了。
而阿斯麦的光刻机，使用的光源是波长为13.5纳米的深紫外线光，所以他们能做出7纳米的芯片，这就是目前我们与他们的差距。
当然，历史告诉我们，中国若以举国之力办一件事，从来没有办不成的。当年列强说咱们造不出原子弹，造不出人造卫星，不是被打脸了吗？他们在导航技术上对咱们进行封锁，咱们不是研制出了咱们的北斗导航吗？
从新中国成立开始，西方国家一直都在围堵、打压中国。但是，中国人用实际行动告诉全世界，中国人的智慧和创造力是无穷的。
光刻机是需要很高的技术，但中国在这方面落后，并不是中国人笨，而是之前咱们没有高度重视。因为光刻机属于投入大、产出率迟缓的制造行业，如今咱们重视了，这点东西能难倒中国吗？
咱们中科院光电所正在走“表面等离子体波”这条的路线，该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，是一项绕过国外相关知识产权壁垒的科技创新。
相比于国外，中科院光电所的光刻设备不只是一台专门用来做芯片的“光刻机”，它更像是一种表面等离子体分析仪器。阿斯麦公司的光刻机虽然好，但在将来未必能比得过咱们的产品。
中国用自己的力量去制造出先进的光刻机，这只是个时间问题。但是，中国人从来都是爱好和平、乐于分享的，所以，当那一天真的来到时，我们绝不会像某些国家一样，用科技去为政治服务，在全球实现霸权主义。所以，如果单从技术创新上来说，对外国来说是很恐怖的存在；但从和平和发展的角度来说，对世界和全体人类都是一大好事，有何恐惧之有？